温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供一种半导体装置，其抑制半导体装置的开关损耗。所述半导体装置具备设置于漂移区与半导体基板的下表面之间的第二导电型的集电区，所述集电区包括第一区和第二区，所述第二区对于所述漂移区的载流子的注入效率低于所述第一区对于漂移区的载流子的注入效率，...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。