温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了一种形成半导体器件方法及用于形成前述器件的衬底处理系统，所述方法包括以下步骤：在一半导体衬底的一后表面上形成至少一个金属催化剂层，在所述半导体衬底上形成至少一个用于电力传输的埋入式电源轨，以至少部分地与所述埋入式电源轨对齐；通过向所述...
该专利属于细美事有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过细美事有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。