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一种氮化镓半导体二极管，包括一个衬底、一个形成在衬底上的ＧａＮ层、一个形成在ＧａＮ层上的ＡｌＧａＮ层，其中ＧａＮ层和ＡｌＧａＮ层构成二极管的阴极区、一个形成的在ＡｌＧａＮ层上的金属层，一同构成一个肖特基结，金属层作为二极管的阳极电极，以及一...
该专利属于万国半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体有限公司授权不得商用。

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