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本发明的目的是针对功率半导体装置，不依赖于载流子寿命控制方法，一边实现折衷特性的高速侧区域的动作一边对折衷特性进行控制。pin二极管(1001)的半导体衬底(20)具有：n
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该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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