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磁隧道结单元的制作方法及存储器技术
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文档序号:39490135
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本发明涉及一种磁隧道结单元的制作方法及存储器,该方法包括:在衬底上沉积底电极层
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该专利属于致真存储(北京)科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过致真存储(北京)科技有限公司授权不得商用。
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