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本发明提供具备大容量且能够廉价地制作的三维存储器单元阵列的非易失性半导体存储装置。在具备可变电阻元件的双端子型存储器单元的三维存储器单元阵列（１）中，在Ｚ方向上邻接的存储器单元的各一端与分别在Ｘ及Ｙ方向上配置多个，且在Ｚ方向上延伸的中间选择...
该专利属于夏普株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过夏普株式会社授权不得商用。

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