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本发明公开了一种具有负电子亲和势的分形石墨烯材料及其制备方法和应用，该材料采用超高温化学气相沉积工艺制备，由沉积在衬底上的直立交错生长的单层和多层分形片状石墨烯构成，随着衬底温度的提高，石墨烯纳米片的晶体状态趋于直立生长，这直接决定了其电学...
该专利属于重庆启越涌阳微电子科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆启越涌阳微电子科技发展有限公司授权不得商用。

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