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本发明属于铁电薄膜材料领域，一种铌镁酸铅－钛酸铅ＰＭＮ－ＰＴ铁电薄膜的制备方法。本发明方法是：先制备ＰＭＮ－ＰＴ陶瓷靶；清洗Ｓｉ基片；制备ＬａＮｉＯ３导电缓冲层；最后制备ＰＭＮ－ＰＴ铁电薄膜。本发明铌镁酸铅－钛酸铅铁电薄膜的制备方法优点是：...
该专利属于上海师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海师范大学授权不得商用。

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