温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种基于渐变超晶格空位缓冲层GaN基HEMT外延结构，属于半导体技术领域，包括从下至上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层一、AlGaN层二、栅极边缘介质钝化层、源极和漏极，源极与漏极之间还设置有栅极、第二钝...
该专利属于西安电子科技大学芜湖研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学芜湖研究院授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。