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本发明公开了一种非对称双向半导体器件，非对称双向半导体器件包括功率电极漏极D1、功率电极漏极D2和控制电极栅极G，功率电极漏极D1到控制电极栅极的距离为Lgd1，功率电极漏极D2到控制电极栅极的距离为Lgd2，场板分别为FP1、FP2，器件...
该专利属于曼力威半导体（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过曼力威半导体（深圳）有限公司授权不得商用。

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