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本发明涉及一种集成JFET结构的碳化硅MOSFET器件，属于半导体技术领域。该器件包括衬底N+硅层、有源顶层硅、集成JFET和分裂栅槽形结构；所述衬底N+硅层下方设置有漏电极；所述有源顶层硅设置有N
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该专利属于重庆大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆大学授权不得商用。

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