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本申请提供了一种单光子雪崩二极管、制备方法、光电检测装置及电子设备。所述单光子雪崩二极管包括：半导体基材，其内形成有半导体类型不同的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区与第二掺杂区相互接触形成第一PN结，所述第二掺杂区与所述半导体基材相互...
该专利属于深圳阜时科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳阜时科技有限公司授权不得商用。

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