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本发明公开了一种MOSFET及工艺方法，在半导体衬底的外延层中形成沟槽，沟槽下部离子注入形成P型掺杂注入区，沟槽内下部保留一定厚度的氧化物；进行光刻及离子注入形成沟道区；进行光刻及离子注入形成阱区、阱区引出区、源区；栅极多晶硅呈T字型；本发...
该专利属于上海澜芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海澜芯半导体有限公司授权不得商用。

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