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本发明涉及一种具备等离子电场的碳化硅晶体生长装置及方法，包括：石墨坩埚，所述石墨坩埚内构成真空腔体，并且内部设有SiC原料；第一电极，所述第一电极位于所述石墨坩埚构成的真空腔体内，并与射频电源电连接；绝缘材料层，所述绝缘材料层位于所述第一电...
该专利属于上海磐云科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海磐云科技有限公司授权不得商用。

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