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本申请提供了一种SiC晶圆退火工艺的温度监控方法、装置、设备及存储介质，属于半导体加工技术领域。该方法包括：获取晶圆监控片在退火前的表面粗糙度；将晶圆监控片置于退火工艺腔内，并在设定温度下进行退火工艺；测量晶圆监控片在退火后的表面粗糙度，得...
该专利属于珠海格力电器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海格力电器股份有限公司授权不得商用。

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