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本公开涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：衬底；以及设置于衬底之上的金属布线层，所述金属布线层包括相邻的第一金属线和第二金属线，所述第一金属线与所述第二金属线各自沿第一方向纵向延伸，其中，在由所述第一方向和第二方向限定的平面中，...
该专利属于西湖大学所有，仅供学习研究参考，未经过西湖大学授权不得商用。

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