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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种功率MOS器件超结的外延方法。所述超结的深沟槽外延填充方法包括以下步骤：提供第一导电类型半导体基底层，所述第一导电类型半导体基底层中形成有深沟槽，其中，从所述深沟槽的底端至顶端，所述深沟槽的...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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