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本发明属于半导体制造技术领域，提供了一种快恢复外延型二极管及制备方法，包括：S1、在N型硅衬底的正面生长N
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该专利属于扬州国宇电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州国宇电子有限公司授权不得商用。

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