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一种氮化镓(GaN)功率器件包括：GaN衬底结构，其具有第一表面和第二表面；金属层，其耦合到GaN衬底结构的第二表面；以及有源区，其包括耦合到GaN衬底结构的垂直的基于鳍的场效应晶体管(FinFET)的阵列。GaN功率器件还包括：边缘终止结...
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