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本发明提供一种多晶硅薄膜材料，其特征在于，其自下而上顺序地包括衬底、第一阻挡层、金属诱导层、第二阻挡层和多晶硅层。由于本发明中的金属诱导层先于非晶硅形成，位于两层阻挡层间，从而缩短了热处理时间、提高了晶粒尺寸。...
该专利属于广东中显科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东中显科技有限公司授权不得商用。

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