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一种用于半导体器件的相变存储器单元，包括在第一导电层上的加热器元件，具有围绕加热器元件的侧面的间隔件。相变存储器单元包括在导电层上和在围绕加热器元件的间隔件的底部部分上的第一电介质层，以及围绕加热器元件的顶部部分的第一电介质层上的第二电介质...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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