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本发明涉及一种在晶体硅单面制备硅尖的膏体材料。本发明利用晶体硅各向异性腐蚀的特性机理，提出一种非牛顿型的膏体材料，包括重量百分数分别为５％－６０％，５％－３５％和２０％－６０％的碱性物质、隔离屏蔽剂和有机溶剂。本发明的膏体材料组分简单，制备...
该专利属于蒋劼所有，仅供学习研究参考，未经过蒋劼授权不得商用。

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