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本发明涉及一种增强型半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域，用以提供一种性能良好、能够实现常关需求的垂直型半导体器件。所述增强型半导体器件包括沟道层、第一势垒层、第二势垒层、第一电极、第二电极和第三电极，第一势垒层自沟道层的第一垂直界面...
该专利属于广东致能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东致能科技有限公司授权不得商用。

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