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本发明公开了一种背面P/N型掺杂区隔离的IBC电池制造方法，P型单晶硅片经碱刻蚀抛光后，在背面依次沉积遂穿氧化层、掺杂薄多晶硅层，再局域激光开膜，接着依次沉积Al2O3层、氮化硅层，然后硅片清洗制绒，在正面沉积氮化硅层，再对背面激光开膜处局...
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