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本发明属于光电探测技术领域，具体为一种添加阻挡层的杂质吸收近红外探测器及其制备方法和应用。本发明的近红外探测器结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、钝化层、掺杂硅衬底（P型或N型、平面硅或黑硅）、阻挡层、背面电极。本发明利用在硅衬底中掺杂形...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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