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本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，其中，半导体器件包括：基底，用于产生光波；光栅层，位于基底上，光栅层包括沿平行于基底所在平面的方向并列设置的第一光栅和第二光栅；其中，第一光栅具有第一周期，第二光栅具有第二周期，第一周期不同于第...
该专利属于武汉光迅科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光迅科技股份有限公司授权不得商用。

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