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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中半导体元件包含半导体叠层、绝缘结构、电极结构及保护层。绝缘结构设置于半导体叠层之上，且包含第一部分。第一部分包含第一开口，且第一开口暴露出绝缘结构的内侧壁。保护层设置于内侧壁与电极结构之间，且包含第...
该专利属于嘉和半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过嘉和半导体股份有限公司授权不得商用。

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