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本申请提供一种晶圆键合方法和键合结构，涉及半导体技术领域，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆的第一表面上依次沉积阻挡层、种子层；在种子层上制备第一支撑层，在第一支撑层上，通过刻蚀制备得到多个待填充盲孔，待填充盲孔的底部为种子层；在待填...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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