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一种氮化镓(GaN)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，包括：衬底，在所述衬底上的GaN层，在所述GaN层上的缓冲层，分别在所述缓冲层上形成的源区、漏区和栅区，在源区、漏区和栅区上的绝缘层和金属层，以及在所述源区和漏区之间、在低于...
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