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本发明提供半导体存储装置及其制造方法，该半导体存储装置包括：第一电极，通过埋设在基板上形成的绝缘膜中而形成；第二电极，形成为与该第一电极相对；存储层，形成在该第一电极和该第二电极之间，该存储层设在第一电极侧；离子源层，形成在该存储层和该第二...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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