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本发明公开一种阻流异质结可编程存储器件，涉及存储器件领域；存储器件包括：依次连接的第一电极、阻流异质结绝缘介质层和第二电极；阻流异质结绝缘介质层包括：阻流层和可编程介质层；阻流层和可编程介质层采用的绝缘介质不同；第一电极和第二电极采用设定配...
该专利属于成都皮兆永存科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都皮兆永存科技有限公司授权不得商用。

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