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本发明公开了一种制备钛酸钡基ＰＴＣ半导体陶瓷细晶结构的方法，该方法以碳酸钡、二氧化钛、氧化钇、硝酸锰、碳酸锶或／和碳酸钙为原料，用直径为１～２ｍｍ的ＺｒＯ２小球、厚度为１μｍ的缝隙过滤浆料、转速为１４００～２４００ｒｐｍ、球磨时间为１～３小...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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