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本发明公开了一种多波长激光耦合剥离半导体材料的设备及方法，通过将多波长激光耦合辐照至半导体材料内，利用光子能量更高的短波长激光将价带的电子跃迁至导带形成自由电子，随后利用长波长激光对自由电子进行吸收，并产生热应力差，进而诱导半导体材料改质，...
该专利属于中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所授权不得商用。

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