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本发明提供一种提高碳化硅场效应管短路能力的器件结构及其制备方法，其中结构包括：衬底层、外延层、P+区、P型阱、N+区、P区、多晶硅层、层间介质层和金属层；外延层层叠设置于衬底层上；外延层顶部一侧形成一第一注入区，第一注入区的外侧设置有P+区...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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