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本发明涉及一种氮化物半导体元件，其基板上包括ｎ侧氮化物半导体层和ｐ侧氮化物半导体层，ｐ侧氮化物半导体层上形成有透光电极（１０），且形成有用于与外部电路连接的ｐ侧焊盘电极（１４），ｎ侧氮化物半导体层上形成有用于与外部电路连接的ｎ侧焊盘电极（１...
该专利属于日亚化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日亚化学工业株式会社授权不得商用。

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