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本发明涉及一种氮化物半导体发光二极管元件和该氮化物半导体发光二极管元件的制造方法，氮化物半导体发光二极管元件含有：ｎ型氮化物半导体层、ｐ型氮化物半导体层、设置于ｎ型氮化物半导体层和ｐ型氮化物半导体层之间的氮化物半导体有源层，在ｐ型氮化物半导...
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