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本发明涉及一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：a)提供由热膨胀系数接近碳化硅的热膨胀系数的材料制成的临时衬底的步骤；b)在所述临时衬底的正面上形成中间石墨层的步骤；c)将多晶碳化硅支撑层沉积在所述中间层上的步骤，所述支撑层的厚度介于10...
该专利属于索泰克公司所有，仅供学习研究参考，未经过索泰克公司授权不得商用。

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