温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种具有高沟道密度强短路能力的SiC功率半导体器件，属于功率半导体器件的技术领域。其包括对任一平面型元胞，包括位于所述有源区内的第一类导电沟道；在有源区内，还包括用于增加沟道密度的第二类导电沟道，其中，第一类导电沟道、第二类导电沟...
该专利属于青岛中微创芯电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛中微创芯电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。