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本发明涉及一种具有渐变凹槽终端的高电子迁移率晶体管及制备方法，晶体管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、缓冲层、第一沟道层和第一势垒层；N层依次层叠设置在部分第一势垒层的第一组合子层，每层第一组合子层包括层叠设置的第二势垒层和第二沟道层；N...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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