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薄膜晶体管制造技术
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文档序号:3904421
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本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管。本发明提供的薄膜晶体管,包括:在基板(9)上含有源区(17)、沟道区(18)、漏区(19)的有源层(11),栅电极层(16),以及在有源层(11)和栅电极层...
该专利属于株式会社爱发科所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社爱发科授权不得商用。
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