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一种冷源晶体管、其制作方法及集成电路技术
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文档序号:38997835
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本申请提供一种冷源晶体管、其制作方法及集成电路,包括:半导体衬底、源极、漏极以及栅极;半导体衬底具有源区、漏区及位于源区与漏区之间的沟道区,源极耦合于源区,漏极耦合于漏区,栅极设置于沟道区上;沟道区包括第一掺杂区及沟道,第一掺杂区在源区一侧...
该专利属于华为技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华为技术有限公司授权不得商用。
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