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本发明公开了一种提高氮化镓器件击穿电压的器件结构及制作方法，包括衬底，所述衬底上方外延有缓冲层，缓冲层上方外延有P型GaN外延层，P型GaN外延层上方外延有高质量氮化镓沟道材料层，高质量氮化镓沟道材料层上方外延有AlN隔离层，AlN隔离层上...
该专利属于江苏镓宏半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏镓宏半导体有限公司授权不得商用。

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