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本发明提供一种相变化存储元件及其形成方法。该相变化存储元件包括：第一电极及第二电极；相变化材料层电性连结该第一电极及该第二电极；以及至少二电性孤立导体，形成于该第一电极及该第二电极间并与该第一电极及该第二电极分隔，且直接与该相变化材料层接触...该专利属于财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司授权不得商用。