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像素化波长转换层制造技术
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文档序号:38971214
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第一转换层材料形成在衬底的未被掩蔽的像素区域上。从第二像素区域集合选择性地移除掩模材料,留下被掩蔽的第三像素区域集合。在第二像素区域的侧壁上形成涂层,并且然后在第二像素区域上并抵靠它们的侧壁形成第二转换层材料。从第三像素区域移除掩模材料,在...
该专利属于亮锐有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过亮锐有限责任公司授权不得商用。
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