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多端子氮化镓功率晶体管制造技术
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文档序号:38971154
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本发明涉及一种氮化镓(Gallium Nitride,GaN)功率晶体管(100、300、500、600),包括:源极焊盘(S);漏极焊盘(D);第一栅极焊盘(G1)和第二栅极焊盘(G
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该专利属于华为技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华为技术有限公司授权不得商用。
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