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本发明涉及等离子体成膜装置的清洁方法。本发明的等离子体成膜装置的清洁方法中，使用含有氢氟烃气体、氧气和离解性气体且离解性气体的比例为氢氟烃气体与氧气总量的５ｖｏｌ％～１０ｖｏｌ％的混合气体作为清洁用气体，进行等离子体处理。作为氢氟烃气体，优...
该专利属于大阳日酸株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过大阳日酸株式会社授权不得商用。

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