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本发明关于一种具有内连结金属的硅晶片。该硅晶片包括硅基底、至少一电性元件、绝缘层、金属层、至少一第一内连结金属及至少一第二内连结金属。该电性元件位于该硅基底内，且显露于该硅基底的第一表面。该绝缘层位于该硅基底的第一表面。该金属层位于该绝缘层...
该专利属于日月光半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过日月光半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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