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本申请公开了一种互联工艺，涉及半导体制造领域。该互联工艺包括：提供一复合结构，复合结构包括层间介质层、介质阻挡层和第一介质层；在第一介质层上形成第一掩膜，第一掩膜中形成有多个第一窗口；在第一窗口对应区域进行刻蚀以形成多个通孔；填充通孔以形成...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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