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本发明提供了氮化镓基发光二极管外延衬底及其制备方法，包括（１）在衬底上沉积一层低折射率材料的薄膜；（２）用光阻在所述的薄膜上制备掩模图形；（３）通过刻蚀，将光刻胶掩模的图形转移到所述的薄膜上；（４）清洗衬底，去除残留的光阻，其中，所述的衬底...
该专利属于杭州士兰明芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰明芯科技有限公司授权不得商用。

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