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本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，该制造方法包括：提供晶圆，晶圆包括器件区和环绕器件区的边缘区；在边缘区形成沟槽，沟槽的顶部位于第一表面，沟槽的底部位于第一表面和第二表面之间；第一表面和第二表面为晶圆厚度方向上相对的两个表面；形成覆...
该专利属于长鑫科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫科技集团股份有限公司授权不得商用。

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